News
在集成电路芯片的制程中,为了启用植入掺杂物或变更材料状态,用以加强 所要的属性 (例如导电性),会利用RTP 的特殊光源以快速高温或毫秒退火和干 式快速氧化等方式,进行处理, 以达到负载、热预算缩减、低漏电电流和界面 质量优化等目的,是IC芯片制程中非常重要工艺;退火阶段光源高频率的点灭, 温度的快速拉升及驺降, 决定于光源产品的稳定性及质量, 也直接影响晶圆上 细密电路的导电性质量。