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第三代半导体材料具有明显的性能优势。SiC 和 GaN 是第三代半导体材料，与 第一二代半导体材料相比，具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率等性能优势，所以又叫宽禁带半导体材料，特别适用于 5G 射频器件和高电压功率器件。
我们预计，我国将在十四五规划期间，出台相关鼓励政策大力支持发展第三代半导体，即 2021-2025 年期间，在教育、科研、开发、融资、应用等等各个方面，大力支持发展第三代半导体产业，以期实现产业独立自主。国内外的SIC产业链主要包括上游的SIC晶片和外延→中间的功率器件的制造（包含经典的 IC 设计→制造→封装三个小环节）→下游工控、新能源车、光伏风电等应用。目前上游的晶片基本被美国CREE和II-VI等美国厂商垄断；国内方面，SiC晶片商山东天岳和天科合达已经能供应2英寸~6 英寸的单晶衬底，且营收都达到了一定的规模（今年均会超过2亿元RMB）；SiC外延片：厦门瀚天天成与东莞天域可生产2 英寸~6 英寸 SiC外延片。第三代半导体国内外差距相对较小，且国内产业链从上游到下游都已经涌现出很多优秀的公司，第三代半导体写入十四五规划，预期这一领域的国产厂商未来五年会是一个蓬勃发展的状态。
综上所述，“十四五”规划是第二个百年计划的开端，而半导体是数字经济产业转型、双循环等大的发展战略的基础性、先导性产业；我国每年在集成电路产业的贸易逆差巨大且长期处于被禁运的危险困境，即便是目前发展最快、自给率最高的 IC 设计，国产化率和高端化升级也仍有很大空间，针对先进制程和其配套的设备和材料，更是急切需要解决“卡脖子”问题；我们认为十四五规划对半导体产业链各个关键“卡脖子”环节将重点支持，主要包括先进制程、高端 IC 设计和先进封装技术、关键的半导体设备和材料、第三代半导体等领域，并且会在先进产线建设、税收优惠、鼓励研发创新和引导市场资源+成立基金进行投资等方面形成组合拳，来鼓励国产半导体产业各个关键环节的发展进步，并为半导体产业的发展营造良好的政策环境，实现集成电路产业跨越式发展。